真空镀膜的物理过程
PVD（物理气相沉积技术）的基本原理可分为三个工艺步骤：
（1）镀料的气化：即镀料的蒸发、升华或被溅射从而形成气化源
（2）镀料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞，产生多种反应。
（3) 镀料粒子在基片表面的沉积

薄膜的形成顺序为：具有一定能量的原子被吸附→形成小原子团→临界核→小岛→大岛→岛结合→沟道薄膜→连续薄膜。因此薄膜的形成过程可分为四个阶段；临界核的形成；岛的形成、长大与结合；沟道薄膜的形成和连续膜的形成。

真空镀膜的工艺流程
真空镀膜的工艺流程一般依次为：前处理及化学清洗（表面打磨抛光喷砂，除锈除油去氧化层）→工件在真空中烘烤加热→氩离子辉光清洗→金属离子轰击→镀金属过渡层→镀膜（通入反应气体）→后处理（炉内钝化或出炉后钝化去应力或防止变色，过UV做防指膜处理等）。